Transistor Paramter
 

Guten Tag

Ich hoffe ich bin hier im richtigen Unterforum gelandet, aber mein Problem ist folgendes:

In Transistordatenblättern gibt es ja mehrere Angaben. Da ich noch relativ neu in dem Thema bin würde ich gerne wissen was genau die Emitter-Base Voltage sowie die Collector Current - Continuous (in mAdc [vermutlich milli ampere in gleichstrom]) angibt.

Außerdem:

Was ist der Unterschied zwischen Vceo und Vces? (ist beides mit "Collector-Emitter-Voltage" angegeben...


Viele Grüße
Josum


P.S.: Der Transistor den ich hier liegen hab ist ein BC238B

Emitter-Base Voltage:
Das ist die Spannung die zwischen Basis und Emitter abfällt. Wenn an der Basis eine ausreichende Spannung anliegt, wird der Transistor durchlässig und Strom kann über die Kollektor-Emitter Strecke fließen.

Collector Current - Continuous
Ist der Maximale Dauerstrom bei der angegebenen Temperatur bzw bei 25°C.

Vceo ist die Spannungsfestigkeit bei offener Basis und Vces wird bei der ,mit dem Emitter verbundener, Basis gemessen.

Ok, danke erstmal... was genau bedeutet aber in diesem Fall abfällt? Wieviel von dem vorne hinten wieder mit rauskommt?

Nein, praktisch die Spannung die du zwischen Basis und Emitter hast.

Aaaahhh, ok, also quasi die Obergrenze, bevor der Transistor durchbrennt...

Du musst an der Basis ein um UBE höheres Spannungsniveau (bei NPN; und bei PNP muss es um UBE niedriger sein) haben als er Emitter, damit der Transistor zwischen Kollektor und Emitter niederohmig wird.

Aber auf [Link nur für registrierte und freigeschaltete Mitglieder sichtbar. Jetzt registrieren...] ist alles schön erklärt ...

So, ich glaub ich habs jetzt verstanden... Zumindest funktioniert meine Schaltung ;)

Danke euch Allen!

Viele Grüße, Josum